Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база ^КБОпр0б и эмиттер- база UэБОдрое с использованием источника напряжения.
Допускается измерение пробивного напряжения с использованием генератора тока. Данный метод приведен в рекомендуемом приложении.
Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18604.0—83.
Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147—'2С и СТ СЭВ 3994—83.
1.1. Параметр ^^Бопроб определяют измерением падения напряжения на переходе коллектор-база проверяемого транзистора при заданном обратном токе коллектора / кбо и токе эмиттера, равном нулю.
Параметр ^эБОпроб определяют измерением падения напряжения на переходе эмиттер-база проверяемого транзистора при заданном обратном токе эмиттера / эво и токе коллектора, равном нулю.
1.2. Значение обратного тока коллектора /кбо или эмиттера /эбо > при котором проводят измерение пробивного напряжения, должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.