Повышение эффективности производства радиоэлектронной аппаратуры и улучшение ее качества может быть достигнуто лишь на основе широкого применения интегральных микросхем (ИМС). В последние годы производство ИМС вышло за рамки узкоспециализированных предприятий и освоено предприятиями-изготовителями аппаратуры. Круг инженерно-технических работников, занятых разработкой и изготовлением ИМС, значительно расширился.
Для инженерной разработки вопросов, связанных с конструированием и расчетом ИМС, требуется большое количество данных справочного характера. В отечественной литературе, однако, справочников по такой тематике нет. Предлагаемое пособие является первой попыткой обобщения разрозненных справочных данных для сокращения времени на их поиск при конструировании и расчете ИМС. В нем представлены материалы как общего характера, относящиеся к классификации, этапам разработки ИМС, оформлению конструкторской докуменrации, их защите и герметизации, так и конкретные данные, необходимые для разработки микроэлектронных изделий, изготовляемых по полупроводниковой, тонко- и толстопленочной технологиям. Некоторые материалы, касающиеся расчета полевого транзистора с прямосмещенным p-n-переходом затвора и автоматизированного расчета биполярного транзистора, являются оригинальными.
Пособие включает сведения наиболее универсального характера. Авторы надеются, что оно будет полезным не только специалистам радиоэлектронной промышленности, но также преподавателям и студентам вузов и техникумов соответствующего профиля.
Справочник не претендует на полноту освещения всех вопросов, с которыми может столкнуться конструктор-технолог по ИМС. Кроме того, поскольку микроэлектроника является одной из наиболее быстро развивающихся областей техники, вполне вероятно, что ко времени поступления пособия к читателю в научно-технической литературе могут появиться новые данные.
Главы 1, 4, 5, 6, 7 и предисловие написаны Э.А. Матсоном, главы 2,3,8 — Д. В. Крыжановским.