Аксенов А И Глушкова Д Н Мощные транзисторы в радиоустройствах

Аксенов А.И. Глушкова Д.Н. Мощные транзисторы в радиоустройствах

ВВЕДЕНИЕ

Широкое применение полупроводниковых приборов во всех отраслях народного хозяйства дало возможность создавать устройства, обладающие экономичностью, высокой надежностью и практически неограниченным сроком службы. Применение полупроводниковых приборов сделало возможным создание миниатюрного радиоэлектронного оборудования, позволило создать экономичные устройства с хорошими энергетическими и электрическими параметрами.

Однако полупроводниковые приборы обладают рядом специфических особенностей, которые необходимо учитывать при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. Это в первую очередь силовая зависимость параметров их от температуры и большая чувствительность к электрическим перегрузкам. Эти обстоятельства требуют ocобеннoгo внимания к выбору электрических режимов работы полупроводниковых приборов. Следующей особенностью и спецификой применения мощных полупроводниковых приборов является обеспечение необходимого отвода тепла от p-n перехода, для чего применяются различные конструкции теплоотводов и методы отвода тепла (охлаждение).

Основной областью применения мощных полупроводниковых приборов являются схемы выходных каскадов усилителей низкой частоты, каскадов, управляющих исполнительными механизмами, преобразователей напряжения и стабилизаторов.

Расчет данного класса схем производится no вольт-амперным характеристикам приборов, поэтому в Приложении приводятся входные и выходные вольт-амперные характеристики в диапазоне допустимых температур.

В брошюре даны примеры расчета схем усиления мощности и преобразования напряжения на мощных полупроводниковых приборах.

Для расчета необходимого теплового режима работы полупроводникового прибора в Приложении дается справочный материал по теплоотводам с необходимыми тепловыми xapактeриcтиками.